The Medical Radiation Engineering - مطالب هفته اول اسفند 1396
 
The Medical Radiation Engineering
Nuclear for peace...
درباره وبلاگ



مدیر وبلاگ : مهدی
مطالب اخیر
آرشیو وبلاگ

الکترومغناطیس در مهندسی بافت های زنده

نویسنده: مهندس فرزانه اعوانی، دانشجوی روزانه مقطع کارشناسی ارشد مهندسی بافت دانشگاه صنعتی امیرکبیر

الکترومغناطیس در مهندسی بافت های زنده دریافت فایل - 238KB

مهندسی بافت به کمک محرک های فیزیکی مانند تحریکات مکانیکی، الکتریکی و مغناطیسی روشی موفق و نسبتاً کم هزینه برای تسریع فرآیندهای مربوط به بازسازی بافتی را ارائه داده است. این محرک ها به طور مؤثر شرایط ماتریس خارج سلولی را تقلید کرده و سبب القای رفتار سلولی مناسب برای بازسازی بافتی میشوند. محرک های محیطی این امکان را فراهم میآورند تا سلول ها به کمک گیرنده های سطحی خود تغییرات ایجادشده در سطح نانو و میکرو را دریافت کنند. انتقال این سیگنال ها به داخل سلول سبب تغییر رفتارهای سلولی به ویژه رشد، جهت گیری، مهاجرت و تمایز سلولی خواهد شد.

الکترومغناطیس
الکترومغناطیس شاخهای از علم فیزیک است که به مطالعه نیروی الکترومغناطیسی میپردازد. نیروی الکترومغناطیس نوعی برهم کنش فیزیکی میان ذرات با بار الکتریکی است. این نیرو به صورت میدانهای الکترومغناطیس مانند میدان الکتریکی، میدان مغناطیسی و نور ظهور مییابد. میدان الکترومغناطیس میدان تولیدی توسط ذرات باردار است که بر رفتار سایر ذرات باردار موجود در نزدیکی میدان اثر میگذارد. میدان الکترومغناطیس به صورت ترکیبی از میدان الکتریکی و مغناطیسی در نظر گرفته میشود. میدان الکتریکی توسط بارهای ساکن و میدان مغناطیسی توسط بارهای متحرک ایجاد میشود. فرم انتقال انرژی الکترومغناطیس به صورت بسته هایی به نام کوانتا با فرکانس ثابت است. بنابراین یکی از مشخصه های اصلی که یک میدان الکترومغناطیس را تعریف میکند فرکانس یا طول موج معادل است. امواج الکترومغناطیس با توانایی شکست اتصالات میان مولکولی امواج یونیزه کننده و در غیر این صورت امواج غیر یونیزه کننده نامیده میشوند. در مطالعات درمانی بر پایه ی الکترومغناطیس، میدان هایی با فرکانس 0 تا 110 هرتز میدانهای با فرکانس خیلی پایین محسوب میشوند.

Avani_Electromagnetic202_1.jpg

شکل ۱. محدوده ی امواج الکترومغناطیس


نقش الکترومغناطیس در اندام زایی

در طول فرآیند تکوین، میدانهای الکتریکی از جریانهای یونی داخلی ناشی میشود. برای هدایت مهاجرت سلولی، گرادیان میدانهای الکترومغناطیس داخلی در جنین لازم است. این گرادیان میدان الکترومغناطیسی با تغییرات ولتاژ میان محیط داخل و خارج سلولی شکل میگیرد. تغییرات ولتاژ نیز با جذب سدیم از محیط خارج سلولی شکل میگیرد و تغییرات پتانسیل ایجادشده وابسته به موقعیت زمان است و در مراحل مختلف تکوین فعال و غیرفعال میشود. جریان های یونی مسئول ایجاد گرادیان ولتاژ است که متقارن با حوادث مورفوژنی در طول رشد و الگوده ی جنین است. گرادیان ولتاژ از طریق اتصالات گپ بین فضای خارج سلولی و داخل سیستوپلاسم سلولی پخش میشود. این گرادیان ها قابلیت نفوذ در غشای سلولی و حتی غشای هسته را از طریق مکانیسم های انتقال سیگنال دارا میباشند؛ درحالیکه میدانهای الکترومغناطیس از طریق گیرنده های سطح سلول مانند کانال های یونی دریافت میشوند و سپس به کمک واسطه های پروتئینی مختلف انتقال مییابند. کانالهای غشایی دارای تاخوردگی های پروتئینی هستند که مانند بسیاری از پروتئینها کانفورماسیون خود را در پاسخ به محرکه ی محیطی مانند ولتاژ تغییر میدهند. بر اساس آنچه گفته شد رابطه ی میان گرادیان ولتاژ و الکترومغناطیس و پاسخ سلولی در دورهی جنینی قابل درک است. در طول دورهی جنینی میدان الکترومغناطیس بیشتر در طول دورهی گاسترولا فعال است و بر حرکات سلولی مورفوژنی اثرگذار است. به علاوه الکترومغناطیس مستقیماً تمایز سلولی را نیز تحت تأثیر قرار میدهد.

خواص الکتریکی و مغناطیسی در بدن
همهچیز در سیستمهای زنده در حال حرکت است و میدان مغناطیسی متغیر، میدان الکتریکی متغیر تولید میکند. این امر مبنای قانون فارادی است که مشتمل بر برهمکنش یک میدان مغناطیسی و یک مدار الکتریکی برای تولید نیروی محرکه است. میدان های الکترومغناطیس و الکترومغناطیس پالسی در بدن از حرکت ماهیچه ها، تاندون ها و سیستم ماهیچه ای-استخوانی ناشی میشود. به علاوه تغییر مکانیکی استخوان در حالت خشک سبب بروز خاصیت پیزوالکتریک میشود. اما در حالت مرطوب خاصیت پیزوالکتریک قابل چشم پوشی است. در حالت مرطوب پتانسیل تولیدی به واسطه ی تنش، تحت مکانیسم های دیگری مانند پتانسیل جریانی یا فرآیند الکتروکینتیک ایجاد میشود. سایر بافت های همبند به واسطه ی حضور مولکول های رشتهای مانند کلاژن، کراتین، فیبرین، الاستین و .... نیز از خود خاصیت پیزوالکتریک نشان میدهند. ماتریس خارج سلولی غضروف هیالان نیز دارای خاصیت پیزوالکتریک است. به هرحال میدان الکترومغناطیس حاصل از هر یک از این مکانیسم ها قابلیت نفوذ در بافت ها را خواهد داشت.
ریتم سیستم ماهیچه ای و خصوصیات پالسی سیستم گردش خون میدانهای الکترومغناطیس را در بدن ایجاد میکند. فعالیت مغزی فرم سینوسی میدان های الکترومغناطیس است. دانسیته جریان در حالت معمول 1تا 10 میلیآمپر بر دقیقه است ولی در هنگام فعالیت دانسیته ی جریان 1000 میلیآمپر بر دقیقه  است. بنابراین هر سیکل متابولیکی، به صورت یک موج سینوسی با فرکانس مشخص است. این نوسانات از دورهی جنینی آغازشده و سبب آرایش یافتگی بافتی میشود. فرکانس نیروی الکترومغناطیس در بدن غالباً در محدودهی فرکانسی بسیار پایین است.

اثرات الکترومغناطیس
فرآیندهایی مانند مهاجرت سلولی، تکثیر و تمایز سلولی، کپیبرداری و بیان DNA بیان فاکتورهای رشد، سیگنالینگ نیتریک اکسید، تنظیم سایتوکینها و بسیاری دیگر از فرآیندهای سلولی و فراسلولی تحت تأثیر میدان الکترومغناطیس قرار میگیرند. این آثار در حین اعمال میدانهای با فرکانس پایین (30 تا 3000 کیلوهرتز) و فرکانس بسیار پایین (3 تا30کیلوهرتز) به سبب بازده درمانی و ایمنی زیستی بسیار موردتوجه هستند.

سلول درمانی
مطالعات بسیاری حاکی از آن است که میدانهای الکترومغناطیس قابلیت اثرگذاری زیادی بر تکثیر و تمایز سلولها دارد. از این پتانسیل میتوان در سلول درمانی استفاده کرد. در بررسی انجام شده توسط کارلو و همکاران سلولهای پیش ساز ماهیچهای، در معرض میدان الکترومغناطیس با فرکانس بسیار پایین تولیدی توسط یک سیکلوترون قرار گرفتند. اعمال میدان سبب کاهش رشد سلولی، افزایش تغییر فازی G0/G1  و افزایش بیان مارکرهای ماهیچه ای شد.

ترمیم زخم
میدانهای الکترومغناطیس پالسی با شدت کمتر از100 هرتز وmT  3 در تسریع فرآیند ترمیم زخم مؤثر شناخته شده است. این آثار شامل کاهش زمانترمیم، کاهش زمان عود، کاهش عمق زخم و کاهش درد در زخمهای وریدی است. تسریع شکلگیری اولیه بافت همبند و شبکهی عروقی، سنتز کلاژن و اپیتلیزاسیون از دیگر آثار اعمال میدان الکترومغناطیس درترمیم زخم است.

ترمیم عصبی
در سالهای اخیر تلاش بسیاری برای تمایز سلولهای بنیادی به سلولهای عصبی از طریق میدانهای الکترومغناطیس صورت گرفته است. در بررسی انجام شده توسط Cho و همکاران تمایز سلولهای بنیادی مزانشیمی به سلولهای عصبی از طریق امواج الکترومغناطیس موردبررسی واقع شده است. سلولهای بنیادی مزانشیمی در معرض میدان الکتریکی و میدان الکترومغناطیس سینوسی پیوسته واقع شدند. پس از اعمال میدان، سلول ها به سلولهای بنیادی عصبی تمایزیافته و پسازآن نیز بیش از استروسیت ها و الیگودنروسیتها به نورونها تمایز یافتند. تمایز سلولهای مزانشیمی به نورون ها به فعال شدن مسیر سیگنالی (cAMP response element binding-protein (CREB نسبت داده شده است.
مکانیسم دقیقی برای نحوه اثر الکترومغناطیس بر تمایز سلولی شناخته شده نیست. بااینوجود برخی بررسیها از اثر الکترومغناطیس برافزایش غلظت گونه های واکنشی اکسیژن در سلول حکایت دارد. برخی مطالعات از ارتباط میان افزایش گونه های واکنشی اکسیژن و تعداد سلولهای تکثیرشده و تمایزیافته خبر میدهند.

ترمیم استخوان
درترمیم استخوان، میدانهای الکترومغناطیس پالسی موردتوجه واقع شده اند. میدانهای مغناطیسی در ایجاد پیوستگی میان استخوان و کاشتنی، افزایش تودهی استخوانی، افزایش میزان کلسیم و تسریع شکستگی های استخوانی مؤثر شناختهشده است. هردو گروه میدان های مغناطیسی استاتیک و دینامیک بر رفتار سلولهای پیش ساز استخوانی مانند سلولهای مزانشیمی، سلولهای ردهی استخوانی مانند MG63 و سلولهای نورمال استخوانی مؤثر شناختهشدهاند.

مکانیسم اثر الکترومغناطیس در بدن
میدانهای الکترومغناطیس قابلیت اثرگذاری بر واکنشهای بیوشیمیایی و رفتار مولکول های باردار در نزدیکی غشای سلولی را دارا میباشند. میدانهای مغناطیسی با اعمال نیرو بر مولکول های باردار در حال حرکت مانند یونها، تولید میدانهای الکتریکی در اجزای هادی، تغییر نرخ نفوذ مواد در غشا، تغییر زاویه ی پیوندها و تغییرات ساختاری پروتئینها بر رفتارهای سلولی اثر میگذارند. برخلاف میدانهای الکتریکی که به سبب خاصیت دیالکتریک غشای سلولی پوشیده میشوند، گرادیانهای مغناطیسی قابلیت نفوذ در لایه های زیرین بافتی و اثرگذاری بر ارگانلهای سلولی را دارا میباشند. نکته ی مهم در کاربرد الکترومغناطیس ایجاد آثار فیزیولوژی در محدودهی مشخصی از پارامترها است. برهم کنش میان سلولها و میدان الکترومغناطیس غالباً در خارج از غشای سلولی و گاهی در پروتئینه ای غشایی رخ میدهد.
یک حد آستانه برای برهمکنش میان میدان الکترومغناطیس و فعالیتهای آنزیمی وجود دارد. به عنوانمثال این آستانه برای Na-K-ATPase برابر باmG  3-2، برای cytochrome oxidase برابر باmG 6-5، برای  decarboxylase ornithine کمتر از mG20 و برای پروتئینهای استرس کمتر از mG8 است. رزونانس و پیوستگی عامل اصلی ایجاد آثار بزرگ با آستانه های کوچک است. مطالعات نشان داده است که ولتاژ الکتریکی به اندازه ی 1 میلی ولت پس از 10 ثانیه با عملکرد کمتر از 108 کانال یونی حاصل میشود. بنابراین میدانهای الکترومغناطیس خیلی قوی برای تحریک سلولها موردنیاز نیست.  میدان هایی در حدود پیکو و نانو تسلا با رزونانس مناسب برای تحریک سلولی کافی خواهد بود. اینکه چگونه و چه مکانیسم سلولی قادر به تبدیل این میدانهای کم انرژی به فرآیندهای سلولی باانرژی بیشتر است سؤالبرانگیز است. مکانیسمهای پیشنهادی برای این فرآیند به شرح زیر است:
الکترومغناطیس بر فرآیند جذب و اتصال یونها اثرگذار است. برهمکنش لیگاند-گیرنده در غشای سلولی
عامل مؤثر تأثیرات الکترومغناطیس بر سلولها شناختهشده است.
فرکانس لارمور، مکانیسمی محتمل برای انتقال سیگنالهای الکترومغناطیس است. در این تئوری تا زمانی که عامل نوسان کننده متصل است، فرکانس تحت تأثیر نویز گرمایی واقع نمیشود و فرکانس نوسان با مدت زمان اتصال نوسان کننده باردار تعیین میشود. بنابراین میدان مغناطیسی به کوچکی1تا 0.1 میلی تسلا تنها در صورتی که عامل نوسان کننده (یون متصل به گیرنده پروتئینی) تنها چند ثانیه به صورت متصل باقی بماند
توسط سلول شناسایی میشود. توپوگرافی مکان اتصال، ناحیه هیدروفوب را ایجاد میکند که در آن مولکول های دوقطبی مانند آب دفع میشوند. بنابراین در ناحیه اتصال، عامل متصل نواسانات کمی را تجربه میکند.
این مکانیسم عامل اصلی اتصال طولانی مدت یون کلسیم و پروتئینهای حد واسط آن محسوب میشود.
قانون فارادی مکانیسم پیشنهادی دیگر برای انتقال الکترومغناطیس است. بر اساس این قانون، میدان الکترومغناطیس قادر به ایجاد بار سطحی در غشای سلولی است. نیروی کلمبی ایجادشده در سطح سلول
قادر به تغییر شکل غشا و اسکلت سلولی است. درصورتیکه نیروی کلمبی بهاندازهی کافی بزرگ باشد اتصال مونومر اکتین بین اسکلت و غشای سلولی رخ میدهد و پس از پلیمریزه شدن آن تغییر شکل سلولی پایدارتر میشود. این تغییر شکل پروتئینهای غشایی را تغییر داده و منجر به فعال شدن مسیرهای سیگنالی میشود.

مکانیسم دیگر، رزونانس آنتنهای سطح سلول با فرکانسهای الکترومغناطیس است. این آنتنها بار الکتریکی را در انتهای آزاد خود نگهداشته و رزونانس آنها سبب حرکت بارهای سطحی و فعال شدن مسیرهای سیگنالی داخل سلولی میشود.

Avani_Electromagnetic202_2.jpg

شکل ۲. نمایش برهمکنش گیرنده های سطح سلول و موج الکترومغناطیس


شبیه سازی محرکهای الکترومغناطیس
اعمال میدان الکتریکی مستقیم:
 بسیاری از عملکردهای سلولی و بافتی در بدن انسان با سیگنالهای الکتریکی کنترل میشود. در اوایل قرن 18  استفاده از بار الکترواستاتیک برای درمان آسیبهای پوستی به کار گرفته شد. در سال 1983 پتانسیل الکتریکی در محدودهی10  تا 60 میلی ولت در نواحی مختلف بدن انسان اندازه گیری شد. پتانسیل و میدانهای الکتریکی اثرات متفاوتی بر سلولها اعمال میکنند. میدانهای الکتریکی کوچک میتواند مهاجرت جهتدار سلولی در سلولهای قرنیه، اپیدرم و اپیتلیال را باعث شوند. به علاوه اثراتی چون تنظیم فنوتیپ سلولهای اندوتلیال، بازسازی فیبرهای عصبی و کاربردهای ارتوپدی از دیگر اثرات سیگنالهای الکتریکی است. گالوانوتاکسی و الکتروتروپیسم از اثرات سلولی اعمال میدان الکتریکی مستقیم محسوب میشوند. گالوانوتاکسی هدایت سلولها در مکان خاص و الکتروتروپیسم جهتدهی سلولی در جهتی خاص است. میدان الکتریکی مستقیم در حفظ پلاریته بافتهای بدن به ویژه بافت اپیتلیال اثرگذار است.
در شرایط درون تنی و با اعمال میدان مستقیم با شدت 0.1 تا 10 ولت بر سانتیمتر بسیاری از سلولها مانند سلولهای عصبی، فیبروبلاست ها، کراتینوسیتها، کندروسیت ها و سلولهای اپیتلیال به سمت کاتد حرکت میکنند و تعداد کمی از سلولها مانند اندوتلیال قرنیه و گرانولوسیتها به سمت آند میروند. سرعت و جهت حرکت سلولها در میدان مستقیم به ولتاژ، گونهی سلولی و شرایط بستر کشت وابسته است.

اعمال میدان الکتریکی متناوب
اثرات سلولی میدان الکتریکی متناوب شدیداً به توان آن وابسته است. در توانهای پایین شناسایی اثرات سلولی دشوار است. درحالیکه میدانهای متناوب با شدت بالا اثراتی چون گرم کردن و آسیب غشای سلولی و حتی مرگ سلولی را به دنبال خواهند داشت. پالسهای الکتریکی کوتاه مدت میتوانند به صورت موقت و بدون اثر بر حیات پذیری سلولی حفراتی را در غشای سلولی ایجاد کنند که این امر اساس کار الکتروپریشن و الکتروفیوژن است.

اعمال میدان مغناطیسی
بررسی اثر تنشهای مکانیکی بر خواص الکتریکی استخوان نشان داده است که نیروی فشاری سبب ایجاد پتانسیل منفی در استخوان در استخوان میشود. پتانسیل منفی بازجذب بافت استخوانی را به دنبال دارد. درحالیکه نیروی کششی سبب ایجاد پتانسیل مثبت در استخوان و رشد بافت استخوانی میگردد. روش های متفاوتی برای تحریک الکتریکی بافت استخوانی وجود دارد. استفاده از جریان مستقیم در محدودهی 100-5 میلیآمپر، رشد بافت استخوانی را در پی داشت است. در این حالت یک الکترود داخل استخوان و الکترود دیگر در بافت نرم نزدیک به استخوان قرار داده میشود. روش دیگر جفتشدگی خازنی است. در این روش دو الکترود روی سطح پوست در دو طرف آسیب استخوانی قرار داده میشود. به کمک ولتاژ اعمالی در محدودهی 1تا 10 ولت و فرکانس 20 تا 200 کیلوهرتز رشد استخوانی با شدت 1تا 100 میلی ولت بر سانتیمتر افزایشیافته است. روش دیگر استفاده از سیمپیچ روی پوست اطراف ناحیه ی آسیب برای ایجاد میدان الکترومغناطیس است. تحریک رشد استخوان به کمک میدانهای مغناطیسی در محدودهی 0.01 تا 2 تسلا و میدانهای الکتریکی در محدودهی 1 تا 100 میلی ولت بر سانتیمتر اثبات شده است.
مکانیسم عمل انواع محرکهای الکتریکی به شرح زیر است:
جریان مستقیم با کاهش سطح اکسیژن و افزایش pH تکثیر استئوبلاستها را افزایش میدهد که سبب تسریع تشکیل کالوس استخوانی و بهبود شکستگی استخوان خواهد شد. در روش جفت شدن خازنی، افزایش میزان کلسیم داخل سلولی از طریق کانال های ولتاژی، افزایش ذخیرهی کالمودولین در سلول را سبب میشود که درنهایت باعث تسریع تشکیل کالوس استخوانی و بهبود شکستگی استخوان خواهد شد. در روش جفت شدن القایی، افزایش مستقیم میزان کلسیم داخل سلولی افزایش ذخیرهی کالمودولین در سلول را سبب میشود که درنهایت منجر به تسریع تشکیل کالوس استخوانی و بهبود شکستگی استخوان خواهد شد.
همهی انواع تحریکات الکتریکی منجر به افزایش ترشح فاکتورهای رشد میشوند. جریان مستقیم سبب افزایش بیان BMP و VEGF، جفتشدگی خازنی سبب افزایش بیان BMP و TGF-β1 و جفتشدگی القایی سبب افزایش بیان BMP، TGF-β1، IGF-2و PTH میشود. میدانهای الکترومغناطیس پالسی با فرکانس پایین، رشد رگی را سبب میشوند. بهعلاوه افزایش بیان مارکرهای استخوانی مانند Runx-2 بیان سایتوکینها و گیرندهای سلولی فعال در استخوانسازی و کاهش بیان مارکرهای چربی مانند PPARγ را در هنگام تمایز سلولهای بنیادی مزانشیمی سبب میشوند. سیمانهای مغناطیسی نیز بهبود قابلتوجه در چسبندگی سلولی و تمایز استخوانی را سبب شده اند.
بدون اعمال میدان مغناطیسی خارجی، مغناطیس از طریق مواد داربست نیز قابل انتقال است. کاربرد نانو ذرات مغناطیسی همراه ماده اصلی سبب انتقال سیگنالهای مغناطیسی به سلولها خواهد شد. استفاده از نانو ذرات مغناطیسی به عنوان حامل دارو و هدایت آنها به کمک میدان مغناطیسی خارجی توجه بسیاری را به خود معطوف ساخته است. همراهی نانو ذرات مغناطیسی با داربست اخیراً موردتوجه واقع شده است. اعمال میدان مغناطیسی سبب حرکت ذرات مغناطیسی در راستای گرادیان ایجادشده توسط میدان میشود. این حرکت اعمال نیروهای کششی و فشاری بر غشای سلولی و تغییر شکل اسکلت سلولی را به دنبال دارد. تغییرات مکانیکی توسط گیرندههای سطح سلول حس شده و به تغییر در میزان کلسیم و تغییر فعالیت protein kinase (MAPK) mitogen activated خواهد شد. این تغییرات نهایتاً فعالیت استئوسیتها و استئوبلاستها و تشکیل و عملکرد بافت استخوانی را کنترل میکند.

منابع:
-Hughes MP. Nanoelectromechanics in engineering and biology. Boca Raton: CRC Press; 2003.

-Gabriel S, Lau RW, Gabriel C. The dielectric properties of biological tissues, 2. Measurements in the frequency range 10 Hz to 20 GHz. Phys Med Biol. 1996;41:2251–2269.

-Jones TB. Electromechanics of particles. Cambridge: Cambridge University Press; 1995. Cambridge.





نوع مطلب :
برچسب ها :
لینک های مرتبط :
چهارشنبه 2 اسفند 1396 :: نویسنده : پرتوپزشک

"ساختار و عملکرد سی تی اسکن"

"ساختار و عملکرد سی تی اسکن"دریافت فایل - 280KB

مهندس ثمر نوین- دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی پزشکی دانشگاه آزاد علوم و تحقیقات تهران
sr_novin@yahoo.com
مهندس مرتضی مقدس- مشاور و مسئول فنی واحد تجهیزات پزشکی بیمارستان شهید هاشمی نژاد مشهد
 bme1368@gmail.com

آشکارسازها یا دتکتورها
همانطور که اشعه پرتوایکس از بدن بیمار عبور میکند تا حدودی کاهش مییابد. برای ایجاد یک تصویر اشعه ایکس ما باید اطلاعات مربوط به درجه ای که هر ساختار آناتومیک پرتو را کاهش میدهد جمع آوری کنیم. در رادیوگرافی معمولی از فیلم برای ثبت اطلاعات استفاده میشود، اما در سی تی از آشکارسازها برای جمعآوری اطلاعات استفاده میکنیم. اصطلاح آشکارساز به یک عنصر تک یا یک نوع از آشکارساز مورداستفاده در سیستم سی تی اشاره دارد. اصطلاح آشکارساز آرایه برای توصیف کل مجموعه ای از آشکارسازهای موجود در سیستم سی تی استفاده میشود. به طور خاص، آرایه آشکارساز شامل عناصر آشکارساز واقعشده در یک قوس یا یک حلقه است که هرکدام از آنها میزان شدت اشعه ایکس منتقلشده در امتداد یک پرتو را که از منبع اشعه ایکس به عنصر خاص آشکارساز منتقل میشود را اندازهگیری میکند. همچنین در آرایه عناصری به نام آشکارسازهای مرجع که به کالیبراسیون دادهها و کاهش آرتیفکت کمک میکند گنجان دهشده است. میدان اسکن، اندازه پرتو فن و بهنوبه خود تعداد عناصر آشکارساز که داده ها را جمعآوری میکنند تعیین میکند. آشکارسازها میتوانند با مواد مختلفی ساخته شوند که هرکدام مزایا و معایب خاص خود را دارند. آشکارسازها فوتون های پرتوایکس را گرفته و آنها را به سیگنالهای الکتریکی و اطلاعات آنالوگ تبدیل می کنند. قطعات الکترونیکی آشکارساز یا سیستم دریافت اطلاعات (DAS) این اطلاعات را به اطلاعات دیجیتال تبدیل میکند. آشکارسازها فوتونهای اشعه ایکس را به سیگنالهای الکتریکی یا آنالوگ تبدیل میکنند. این سیگنالها برای اینکه برای کامپیوتر قابلفهم باشند باید به اطلاعات دیجیتالی یا رقمی تبدیل شوند. آشکارسازها فوتونهای اشعه ایکس را به سیگنالهای الکتریکی یا سیگنالهای آنالوگ تبدیل میکنند. این سیگنالها برای مرحله بعد نمونهبرداری و به شکل عددی تبدیل میشوند. آشکارسازها تابش انتقالی از بیمار را در محلهای مختلف اندازه میگیرند. مقادیر نسبی انتقال به کامپیوتر ارسال و بهصورت اطلاعات خام ذخیره میشود. برای بازسازی تصاویر سی تی تصاویر زیادی از اندازه گیری انتقال پرتو لازم است. بهطورکلی چندین نما گرفته میشود که هر نما شامل تعدادی پرتو و اندازهگیری پرتو نفوذی برای هر اسکن است. فوتونهای عبوری از بدن بیمار توسط دو سری آشکارساز اندازهگیری میشود. آشکارسازی شدت تابش از لامپ اشعه ایکس را اندازهگیری کرده و آشکارسازهای دیگر اشعه ایکس عبوری از بدن بیمار را ثبت میکند. تعداد نمونه های گرفتهشده در هر ثانیه از سیگنال مداوم که از آشکارساز منتشر میشود به عنوان نرخ نمونه گیری، نرخ نمونه یا فرکانس نمونه گیری شناخته میشود. اگر تعداد نمونه ها کافی نباشد آرتیفکتهایی بر روی تصاویر ظاهر میشود. طراحی تک ردیف در سیستمهای نسل سوم و چهارم مورداستفاده قرار گرفت. در سیستمهای نسل سوم حدود 700 عنصر آشکارساز در یک قوس تنظیمشده بودند. در سیستمهای نسل چهارم با استفاده از 4800 آشکارساز در یک ردیف در حلقه کامل قرارگرفتهاند. در سیستم ردیف تک آشکارساز، ضخامت برشهای مختلف با استفاده از تنظیم کولیماتور صورت میگیرد که بیشترین عرض برش را تولید میکند و یا کولیماتورها تا حدی بسته باشند درنتیجه یکتکه نازکتر است.

ویژگی آشکارسازها یا دتکتورها
1- توانایی گیر انداختن، جذب و تبدیل فوتونهای اشعه ایکس به سیگنالهای الکتریکی را راندمان می نامند.
2- راندمان گیر انداختن عبارت از راندمانی است که آشکارسازها با آنها میتوانند فوتون هایی که از بدن بیمار عبور یافته است را به دست بیاورند.
3- تعداد فوتون های جذبشده توسط آشکارساز را راندمان جذب گویند. راندمان جذب بستگی به عدد اتمی ، دانسیته فیزیکی، اندازه و ضخامتی از آشکارساز که در مقابل اشعه قرار میگیرد دارد.
4- ثبات و یکنواختی پاسخ آشکارساز پایداری نام دارد و اگر سیستم پایدار نباشد برای ارائه سیگنالهای مفید کالیبراسیون های مکرر نیاز است.
5- سرعتی که با آن آشکارساز میتواند یک برخورد پرتوی ایکس را آشکار کند و مجدداً برای آشکارسازی برخورد پرتوایکس دیگر آماده شود زمان پاسخ آشکارساز نام دارد. زمان های پاسخ آشکارساز باید بسیار کوتاه و در حد میکروثانیه باشد. هرچه زمان پاسخ آشکارساز کوتاهتر باشد مشکلاتی نظیر تأخیر در تابش کریستال و انباشته شدن اشعه در آشکارساز رخ نمیدهد.
6- نسبت بزرگترین سیگنالی که اندازه گیری شده به دقت کوچکترین سیگنال قابل تشخیص محدوده قدرت عمل آشکارساز نام دارد. برای بیشتر دستگاهها سی تی محدوده قدرت عمل تقریباً یک به میلیون به یک است. اگر بزرگترین سیگنال 1 میکرو آمپر و کوچکترین سیگنال 1 نانو آمپر باشد محدوده قدرت عمل آشکارساز 1 میلیون به 1 است.

انواع آشکارساز
تبدیل پرتوهای ایکس در یک آشکارساز به دو صورت ذیل انجام میشود:
1- آشکارسازهای سنتیلاسیون انرژی پرتوایکس را به نور و سپس نور را به انرژی الکتریکی تبدیل میکنند.
2- آشکارسازهای یونیزاسیون گازی انرژی پرتوایکس را مستقیماً به انرژی الکتریکی تبدیل میکنند.

آشکارسازهای سنتیلاسیون
این نوع آشکارسازها از یک کریستال سنتیلاسیون که با یک تیوب فتو مولتی پلایر جفت شده تشکیلشده است. هنگامیکه پرتوهای اشعه ایکس با کریستال برخورد میکنند نورهای برقآسا یا سنتیلاسیون ها ایجاد میشوند. این نور مستقیماً به فتومولتی پلایر یا تیوب PM برخورد میکند و سپس از فتوکاتدها الکترونها آزاد میشوند. این الکترونها در بین دستهای از دینودها که به دقت به دنبال هم قرارگرفتهاند و پتانسیلهای مختلفی دارند به صورت آبشاری جاری میشوند تا سیگنال خروجی کوچکی به وجود آید. درگذشته از کریستال های یدید سدیم که با تیوب PM جفت شده بودند استفاده میشد که به علت مشکلات ناشی از تأخیر در تابش نور و محدوده قدرت عمل یدید سدیم، کریستالهای دیگری مثل فلورید کلسیم و ژرمنات بیسموت جایگزین شدند. امروزه از آشکارسازهای جامد کریستالی سنتیلاسیون فوتودیود مولتی پلایر استفاده می شود. فتودیود یک نیمه رسانا است که هنگامیکه نور به اتصال P-N فوتودیود تابیده میشود جریانی به وجود میآورد. عدسی قسمت اصلی فتودیود است و برای متمرکز کردن نور از کریستال سنتیلاسیون به اتصال P-N به کار میرود. مقدار جریان به وجود آمده متناسب با مقدار نور تابیدهشده است. ازآنجاییکه خروجی دیود ضعیف است از آمپلیفایرها برای تقویت خروجی استفاده میشود که همراه با فتودیودها هستند. زمان پاسخ یک فتودیود بسیار سریع و در حدود 5/0 تا 250 نانوثانیه است. دو ماده سنتیلاسیون که اخیراً در فوتودیودها به کار میروند عبارتاند از تنگستات کادمیوم و ماده سرامیکی ساخته شده از اکسیدهای معدنی نادر با درجه خلوص بالا که به صورت مایع غلیظ میباشند مثل سرامیک فوق سریع اکسید گادولینیوم وایترا. معمولاً این کریستالها به صورت نوری به فتودیودها بسته میشوند. راندمان تبدیل و راندمان گیراندازی 99 درصد و محدوده قدرت عمل آنیک میلیون به 1 است. به عبارتدیگر راندمان جذب اکسید معدنی نادر سرامیکی 99 درصد و راندمان سینتیلاسیون آن 3 برابر تنگستات کادمیوم است.

آشکارسازهای یونیزاسیون
آشکارسازهای یونیزاسیون گازی براساس اصول یونیزاسیون عمل میکنند و در نسل سوم دستگاههای سی تی ارائه شده اند. آشکارسازها یونیزاسیون گازی شامل گروهی از اتاقک های انفرادی گازی است که معمولاً بهوسیله ضخامت تنگستن به دقت در کنار یکدیگر قرارگرفته اند و این صفحات به عنوان جمعآوریکننده الکترون هستند و از یکدیگر مجزا شدهاند. هنگامیکه پرتوهای ایکس وارد این اتاقکهای انفرادی میشوند یونیزاسیون گاز که معمولاً گاز نئون است اتفاق میافتد و یون های مثبت و منفی ایجاد میشود. یون های مثبت جذب صفحه با بار منفی میشوند و یونهای منفی جذب صفحه با بار مثبت میشوند. این جابجایی یونها موجب جریان سیگنال کوچکی میشود که به طور مستقیم با تعداد فوتون های جذب شده تغییر میکند. برای اینکه تعداد مولکول بیشتری برای عمل یونیزاسیون در دسترس باشد گاز نئون تحتفشار تا حدود 30 اتمسفر است و اتاقکهای گازی توسط ماده زیر لایه سرامیکی نسبتاً ضخیمی محصورشدهاند. راندمان آشکارسازی فوتون (QDE) آشکارسازهای زنون کمتر از آشکارسازهای جامد است. در آشکارسازهای جام سنتیلاسیون راندمان آشکارسازی فوتون (QDE) 95 تا 100 درصد و در آشکارسازهای جامد سرامیکی 94 تا 98 درصد و برای آشکارسازهای گاز نئون 50 تا 60 درصد است.

آشکارسازهای گاز زنون
گاز زنون تحتفشار، اتاقهای خالی را پر میکند تا آشکارسازهایی را تولید کند که تقریباً 60 تا 87 درصد از فوتونها را جذب میکنند. از گاز زنون به دلیل اینکه در زیر فشار بهصورت پایدار باقی میماند استفاده میشود. به طور قابلتوجهی چگالی گاز زنون نسبت به بقیه گازها بالاتر است. آشکارسازهای حالت جامد دارای ضریب جذب بالاتر هستند به طوریکه نزدیک به 100 درصد ز فوتون ها را جذب میکنند. علاوه بر این در پنجره جلو مانند سیستم های زنون از دست دادن وجود ندارد. این افزایش کارایی جذب، مزیت عمدهای از آشکارسازهای حالت جامد است. آشکارسازهای حالت جامد به نوسانات دما و رطوبت نسبت به انواع گاز حساس هستند. موقعیت نسبی، شکل و اندازه آشکارسازها میزان تابش پراکنده را که به تصویر میرسد تحت تأثیر قرار میدهد. طراحی آشکارساز عمیق و باریک پراکندگی کمتری نسبت به آشکارسازهای گسترده و کوتاه را دارد. آشکارسازها با استفاده از فاصله میانی جدا میشوند که موجب میشود آشکارسازها در یک قوس یا دایره قرار بگیرند. فاصله آشکارساز از وسط یک آشکارساز تا وسط آشکارساز مجاور اندازهگیریشده و برای فاصله نوار اندازه گیری میشود. در حالت ایدهآل، آشکارسازها باید به صورت نزدیک به یکدیگر قرار بگیرند، بنابراین تمام اشعه های ایکس به داده تبدیل میشوند. اندازه بازه یا دهانه آشکارساز دیافراگم نامیده میشود. آشکارساز کوچک برای رزولوشن فضایی خوب و رد پراکندگی مهم است.

مشخصات آشکارسازهای حالت جامد
1- جذب فوتون بالا (High photon absorption)
2- حساس به درجه حرارت و رطوبت (Sensitive to temperature,moisture)
3- مواد جامد (Solid material)
4- می توانند پس فروزش را نشان دهند (Can exhibit afterglow)
5- هدر رفتی در پنجره جلویی ندارند (No front window loss)

مشخصات آشکارسازهای گازی
1- جذب معمولی فوتون معمولی (Moderate photon absorption)
2- بسیار پایدار (Highly stable)
3- مواد با چگالی کم ((Low-density material (gas)
4- پس فروزشی ندارند (No afterglow)
5- هدررفت هایی که به پنجره جلویی و فضاهایی که توسط صفحات اشغال شده اند، نسبت داده می شود (Losses attributable to front window and the spaces taken up by the plates)

الکترونیک آشکارساز
فوتونهای اشعه ایکس که به آشکارساز برخورد میکنند باید اندازهگیری و به یک سیگنال دیجیتال تبدیل شوند سپس به کامپیوتر ارسال شوند. این توسط سیستم جمع آوری داده ها (Data-Acquisition System) انجام میشود که در داخل گانتری و در نزدیک آشکارساز قرار دارد. سیگنالهای منتشرشده از آشکارساز آنالوگ (الکتریکی) هستند که برای اینکه برای رایانه قابلفهم باشد باید تبدیل به سیگنال دیجیتال شود. بنابراین یکی از وظایف مهم DAS، تبدیل سیگنال آنالوگ به فرمت دیجیتال است. به زبان سادهتر سیستم جمعآوری دادهها یا DAS، تعداد فوتونهایی را که به آشکارساز برخورد میکنند را اندازهگیری میکند و اطلاعات را به سیگنال دیجیتال تبدیل میکند و سپس سیگنال را به کامپیوتر ارسال میکند. این با مبدل آنالوگ به دیجیتال یا ADC بهطور صحیح به کار رفته است.

مدل های آشکارساز متصل به هم
در دستگاه های جدید سی تی ردیف کامل آشکارسازها از دسته هایی از آشکارسازها تشکیلشده است. هر دسته یک قسمت یا مدل آشکارساز گفته میشود و هر مدل آشکارساز به برد اصلی سیستم آشکارساز اتصال مییابد. استفاده از مدلهای آشکارساز متصل به هم موجب میشود با انجام آسان آزمایشهای و جایگزینی قسمتهای فرسوده با نو ، بیعیبی و سلامت سیستم آشکارساز محفوظ بماند.

آشکارسازهای چند برشه
یکی از مشکلات اصلی دستگاههای تک برشه با آشکارسازهای تک کمانی طول مدتزمان لازم برای دریافت اطلاعات است. برای افزایش سرعت تصویربرداری از حجمی از بدن بیمار و بنابراین کاهش زمان جمعآوری اطلاعات، سیستم دو برشه با آشکار دوکمانی ابداع شد.

آشکارسازهای دو کمانه
اولین دستگاه سی تی حجمی دو برشه توسط السنت در سال 1992 معرفی شد. سیستمهای سی تی دو کمانه نسبت به سی تی تک کمانه موجب بیشتر شدن سرعت اسکن حجمی از بدن بیمار شد. این تکنولوژی از یک ردیف آشکارساز جامد دوکمانی که با یک تیوب اشعه ایکس ویژه جفت شده است و دارای سیستم نقطه کانونی دینامیک دوتایی است استفاده میکند. نقطه کانونی دینامیک جایی است که وضعیت نقطه کانونی سریعاً عوض میشود. تغییر وضعیت نقطه کانونی توسط سیستم نوری الکترونی که بهوسیله کامپیوتر کنترل میشود صورت میگیرد و هدف از آن مضاعف کردن دانسیته نمونه برداری و دوتا کردن تعداد کل اندازهگیریها  در هر اسکن است. تکنولوژی دو شعاع پرتو موجب اسکن همزمان دو برش مجاور همبافت باقدرت تفکیک عالی میشود.

آشکارسازهای چند کمانه، چند برشه
هدف از آشکارسازهای چند کمانه سیستم چند برشه افزایش اعمال سرعت پوشش حجمی دستگاه های سی تی تک برشه و دو برشه است. آشکارسازهای چند کمانه دستگاه چند برشه شامل یک آشکارساز است که دارای کمان هایی از اجزای آشکارساز است. آشکارسازی با N کمان N بار سریعتر از مشابه تک کمانهاش خواهد بود. آشکارسازهای چند کمانه، چند برشه آشکارسازهای جامدی هستند که قادرند در هر 360 درجه چرخش اطلاعات چند برش را به دست آورند. این آشکارسازها بر روی ضخامت برشها تأثیر میگذارند.

تضعیف اشعه سی تی
با استفاده از تعیین میزان تضعیف اشعه در بافتها اطلاعاتی مهم برای بازسازی تصاویر برشی از بافت به دست میآید. با کاهش شدت شعاع پرتوایکس در حین عبور از شیء است که بعضی از فوتونها جذب و بقیه پراکنده میشوند. تضعیف به میزان الکترون در گرم، عدد اتمی، دانسیته بافت و انرژی تابش بستگی دارد. دو نوع شعاع پرتوایکس تابشی به نامهای هموژن و غیر هموژن وجود دارد که بررسی تضعیف هر یک از این شعاعهای پرتوایکس برای درک این مسئله در سی تی مهم است. تضعیف در سی تی بستگی به دانسیته اتمی مؤثر، عدد اتمی جذبکننده و انرژی فوتون دارد. هر مقطع جاذب، شعاع پرتوایکس را به میزان مساوی تضعیف میکند. در شعاع پرتو هموژن تمام فوتونها دارای انرژی یکسان هستند ولی در شعاع پرتو غیرهموژن فوتون ها دارای انرژی متفاوت هستند. تضعیف اشعه نتیجه جذب و پراکندگی است. اشعه ایکس به دلیل پدیده فتوالکتریک تضعیف و به دلیل پدیده کامپتون تضعیف و پراکنده میشود. پدیده فتوالکتریک در بافتهای با عدد اتمی بالا اتفاق میافتد و در بافتهای نرم و مواد با عدد اتمی پایینتر حداقل است. پدیده کامپتون در بافتهای نرم رخ میدهد و اختلاف دانسیته موجب تفاوت در برخوردهای کامپتون میشود.

اشعه سیتیاسکن
اشعه مورداستفاده برای اولین دستگاه سیتیاسکن از یک منبع امریکیم با تشعشع گاما به همراه یک آشکارساز کریستالی تأمین میشد. این تشعشع خارج شده از منبع ناکافی بود و تقریباً حدود 9 روز زمان لازم بود تا دستگاه از عضو موردنظر تصویربرداری کند. ازآنجاییکه زمان این روش بسیار طولانی بود تیوب پرقدرت اشعه ایکس جایگزین منبع اشعه گاما گردید.

جئومتریهای دریافت اطلاعات
مسیری که تیوب اشعه ایکس و آشکارسازها در آن قرار میگیرند تا اندازهگیری انتقالی یا نفوذی در بافت را جمعآوری کنند را جئومتری دریافت اطلاعات سیستم سی تی میگویند.
- تیوب اشعه ایکس و آشکارسازها جفت شده و 360 درجه به دور بیمار برای جمعآوری محاسبات عبوری از یک شعاع بادبزنی پرتوایکس میچرخند.
- تیوب اشعه ایکس 360 درجه به دور بیمار میچرخد و داخل یک حلقه ثابت از آشکارسازها قرار دارد و شعاع پرتوایکس به شکل بادبزن است.
- شعاع باریک پرتوایکس از یک مقطع عرضی خاص بیمار عبور کرده و به آشکارسازهایی در جهت مقابل تیوب برخورد میکند.

تصاویر در سیتیاسکن
تصاویر اولیه سیتیاسکن بهصورت پله مانند بودند که باگذشت زمان و تغییرات تکنولوژیکی کیفیت تصاویر بهطور قابلتوجهی افزایش یافت. قدرت تفکیک فضایی، کاهش زمان تصویربرداری، افزایش قدرت باری بود که دستگاههای تصویربرداری از تمام بدن نیاز داشتند. تصاویر تولیدشده در طول یک سیتیاسکن میتوانند در چندین صفحه مجزا اصلاح شوند و حتی میتوانند تصاویر سهبعدی ایجاد کنند. این تصاویر را میتوان بر روی مانیتور مشاهده کرد یا حتی میتوان بر روی فیلم چاپ کرد و یا برای انتقال به سی دی یا دی وی دی ثبت کرد.

تصویربرداری حجمی سیتیاسکن
(اسپایرال یا هلیکال)

در دستگاههای تصویربرداری حجمی درحالیکه بیمار بیوقفه و پیوسته به داخل گانتری حرکت میکند، تیوب اشعه ایکس و آشکارسازها به طور پیوسته در چرخش هستند. درنتیجه دسته پرتو اشعه ایکس مسیری را به دور بیمار دنبال میکند. این طریق تصویربرداری از بیمار سی تی اسپایرال یا هلیکال نامیده میشود. سی تی اسپایرال یعنی دسته پرتو مسیر مارپیچی را به دور بیمار طی میکند. سی تی هلیکال مسیر اشعه تابشی به دور بیمار به صورت حلزونی است. در دستگاههای سی تی حجمی دو برش نسبت به تک برش سرعت پوشش حجمی تصویربرداری افزایش پیدا کرد. تصویربرداری سی تی حجمی موارد استفاده فراوانی ازجمله در سی تی فلوروسکوپی، سی تی آنژیوگرافی، تصویرسازی سهبعدی و تصویربرداری مجازی همزمان دارد. اطلاعات به وجود آمده در تصویربرداری حجمی که توسط دستگاههای سی تی اسپایرال تک برش و چند برش انجام میشود نسبت به دستگاههای سی تی معمولی بیشتر است. تاریخ معرفی آن به اواخر دهه 80 باز می گردد. سی تی هلیکال موجب پیشرفت تصویربرداری بالینی شده است. سه عنصر اساسی که فرآیند اسکن هلیکال را تعریف میکنند تیوب ایکس ریِ دائماً در حال چرخش، خروجی ثابت اشعه ایکس و حرکت مداوم تخت، هستند.

مقدار تشعشع در سیتیاسکن
هدف اساسی هر تکنیک جدید تصویربرداری به دست آوردن حداکثر اطلاعات به همراه حداقل دوز تشعشعی برای بیمار است. در سی تی مقدار تشعشع دریافتی بیمار به عوامل تصویرسازی متعددی مثل ضخامت لایه، نویز، راندمان قدرت تفکیک آشکارساز، الگوریتم بازسازی، کولیماسیون و فیلتراسیون بستگی دارد. برای اندازهگیری میزان تشعشع از محفظه های یونیزاسیون یا دوزیمتری ترمولومینسانس استفاده میشود. سه عامل برای حداقل رساندن مقدار تشعشع دریافتی بیمار در طی دریافت اطلاعات:
1- کاربردهای تلفیقی بهمنظور کاهش دفعات پرتوگیری که این خود یک تکنیک فیلتراسیون مقدماتی است که در مقایسه با سی تی معمولی میزان تشعشع را حدود 15 درصد کاهش میدهد.
2- استفاده از آشکارسازهای جدید سرامیکی مافوق سرعتی که از مقدار تشعشع 25 درصد دیگر هم میکاهد.
3- تطبیق و تنظیم همزمان میزان اشعه که از طریق آن میزان میلیآمپر با توجه به مشخصههای بیمار سازگار میشود، درنتیجه میزان تشعشع حدود 40 درصد دیگر کاهش مییابد.

کنترل کیفی سیتیاسکن
مانند هر سیستم تصویربرداری پزشکی، در سی تی  اسکن نیز برنامهها و آزمایشهای کنترل کیفی متفاوتی برای حفظ کیفیت مطلوب تصویر و به حداقل رساندن آرتیفکتهای تصویر انجام میشود. با توجه به پیچیدگی دستگاه سی تی اسکن، امکان انجام آزمایش های کنترل کیفی بسیاری بر روی آن وجود دارد. این آزمایش کنترل کیفی میتواند با کمک فانتومهای فراهم آمده توسط کارخانه های سازنده توسط تکنولوژیست انجام شود و یا آزمایش کنترل کیفی پیچیده توسط متخصصین فیزیک و یا مهندسین پزشک انجام شود.

پدیده و دزیمتر ترمولومینسانس
برخی از مواد نیمه هادی یا عایق درصورتیکه ابتدا پرتودهی و سپس گرمادهی شوند نور مرئی انتشار میدهند که به آن نور ترمولومینسانس میگویند. ترمولومینسانس انتشار نور مرئی از ماده پرتودهی شده (نیمه هادی یا عایق) در اثر تحریک گرمایی است. مواد دارای این خاصیت را مواد ترمولومینسانس میگویند. از مواد ترمولومینسانس برای آشکارساز و یا دزیمتر پرتوهای یونساز مانند ایکس ری ، گاما ، بتا و نوترون استفاده میشود. دزیمترهای ترمولومینسانس دارای انواع مختلف با ترکیب شیمیایی و نام تجاری متفاوت هستند.


منابع :
-David J Dowsett_ Patrick A Kenny_ R Eugene Johnston-The physics of diagnostic imaging
-Euclid Seeram Computed Tomography : Physical Principles, Clinical Applications, and Quality Control 2011
-Elissa Kramer, MD, Jane Ko, MD, Fabio Ponzo, MD, Karen Mourtzikos-Positron Emission Tomography-Computed Tomography__ A Disease-Oriented Approach-Informa Healthcare 2008
-Elliot K. Fishman MD, R. Brooke Jeffrey Jr.  MD-Multidetector Computed Tomography_ Principles, Techniques, and Clinical Applications-LWW 2003
-Gonzalez, Shawneen-Interpretation basics of cone beam computed tomography-John Wiley & Sons 2014
-Hsieh J.-Computed tomography. Principles, design, artifacts, and recent advances-SPIE 2009
-Jerrold T. Bushberg, J. Anthony Seibert, Edwin M. Leidholdt Jr., John M. Boone-The Essential Physics of Medical Imaging-LIPPINCOTT WILLIAMS & WILKINS 2011
-Kenny, Patrick A._ Johnston, R. Eugene_ Dowsett, David J-The physics of diagnostic imaging-Distributed in the USA by Oxford University Press, Hodder Arnold 2006
-Lois Romans-Computed Tomography for Technologists_ A Comprehensive Text-Lippincott Williams & Wilkins 2010
-L. Saba -Computed Tomography - Special Applications-Intech 2011
-Malcolm J. Brooker (auth.)-Computed Tomography for Radiographers-Springer Netherlands 1986
-Peter Hogg (auth.), David Wyn Jones, Peter Hogg, Euclid Seeram (eds.)-Practical SPECT_CT in Nuclear Medicine-Springer-Verlag London 2013
-Robert Cierniak (auth.)-X-Ray Computed Tomography in Biomedical Engineering-Springer-Verlag London 2011
-Thorsten Buzug Prof. Dr. (auth.)-Computed Tomography_ From Photon Statistics to Modern Cone-Beam CT-Springer Berlin Heidelberg 2008





نوع مطلب :
برچسب ها :
لینک های مرتبط :
چهارشنبه 2 اسفند 1396 :: نویسنده : پرتوپزشک

همایش تاز های ایمونوانکولوژی


همایش یکروزه ایمونوانکولوژی توسط انجمن رادیوتراپی انکولوژی ایران با همکاری شرکت رش در روز پنجشنبه 3 اسفند ماه 1396 در محل هتل استقلال سالن یاس با امتیاز بازآموزی و ثبت نام رایگان برگزار می گردد .

گروه های هدف دارای امتیاز : متخصصین رادیوانکولوژی، فوق تخصص ایمونولوژی بالینی(اطفال و بزرگسالان)، فوق تخصص خون و سرطان بالغین،جراح عمومی، گوش و حلق و بینی،جراحی مغز و اعصاب،ارولوژی،زنان و زایمان،بیماری های پوست،رادیولوژی،آسیب شناسی،ایمنی شناسی،بیماری های ریه(فوق تخصص)،پزشکان عمومی

ثبت نام در روز برنامه ساعت 8:30 – 8 در محل برگزاری همایش صورت می گیرد .

جهت اطلاعات بیشتر با دفتر انجمن تماس حاصل فرمائید .








نوع مطلب :
برچسب ها :
لینک های مرتبط :

چهارمین کنفرانس بیوالکترومغناطیس ایران


محورهای کنفرانس

کنفرانس بیوالکترومغناطیس ایران با هدف گسترش مرزهای دانش فنی و تبادل نظر علمی-کاربردی در زمینه‌های مختلف بیوالکترومغناطیس (بخش امواج غیریونیزان)، در راستای تقویت ارتباط بین محققین، دانشجویان و صنعتگران کشور برگزار می‌شود. کمیته برگزاری چهارمین کنفرانس بیوالکترومغناطیس ایران درصدد است با برگزاری سخنرانی‌های کلیدی، نشست‌های علمی و تخصصی تلاش نماید علاقه‌مندان را با آخرین دستاوردهای دانش فنی در زمینه‌های زیر آشنا سازد.

 

  • تحریک مغناطیسی در تشخیص و درمان 

  • تحریک الکتریکی مغناطیسی کارکردی FES , FNS

  • الکترومگنتوتراپی

  • منفذسازی الکتریکی و دارو درمانی الکتریکی

  • شبیه سازی و مدلسازی

  • ساز وکارهای جذب و برهم­کنش

  • حساسیت سنجی الکترومغناطیسی و رادیوبیولوژی

  • برش­نگاری امپدانسی

  • دارورسانی مغناطیسی

  • مغناطونگاری

  • لیزر

  • دوزیمتری و اندازه­گیری میدان­‌های الکترومغناطیسی 

  • ایمنی و آنالیز ریسک سلامت ، استانداردها و سیاست

  • اثرات بیولوژیکی، فیزیولوژیکی و مطالعات اپیدمیولوژیکی، محیطی و عمومی

  • سازگاری الکترومغناطیسی

  • حفاظت در برابر میدان­های الکترومغناطیسی

  •  تجهیزات تولید میدان و تابش

  •   بیومغناطیس، ذرات و موادمغناطیسی

  •  ثبت و تحریک الکتریکی در تشخیص و درمان (الکترودیاگنوسیس)

  • تشخیص و پایش مغناطیسی

  • جداسازی سلولی الکتریکی و مغناطیسی سلول

  • تخریب گرمایی و هایپرترمی مغناطیسی

تصویربرداری و ترمومتریاز كلیه پژوهشگران، كارشناسان و متخصصان دانشگاه‌ها، مؤسسات تحقیقاتی و صنایع در رشته‌های مرتبط دعوت می شود تا با ارسال چکیده مقالات علمی خود به زبان فارسی در تارنمای کنفرانس (www.icbem.ir) بارگذاری نموده و در هرچه بهتر برگزاری این كنفرانس مشاركت فعال داشته باشند. فرمت قابل پذیرش مقالات در آدرس تارنمای کنفرانس (www.icbem.ir) قرار دارد. طبق فرمت کنفرانس تعداد کلمات چکیده حداکثر 250 کلمه است. لطفا توجه فرمایید ثبت نام یکی از نویسندگان مقالات پذیرفته شده در کنفرانس ضروری است و تنها مقالات ارائه شده در کتابچه کنفرانس چاپ خواهند شد. مقالات برگزیده در مجلات علمی پژوهشی به چاپ خواهد رسید.








نوع مطلب :
برچسب ها :
لینک های مرتبط :


ششمین فراخوان پیشنهاد طرح پژوهشی میز همکاری‏های ایران و برزیل Regular Project Award



ستاد توسعه علوم و فناوری های شناختی (CSTC) و بنیاد تحقیقاتی سائوپائولوی (FAPESP) برزیل اقدام به ششمین فراخوان پیشنهاد طرح پژوهشی در قالب Regular Project Award کرده اند.

هدف از این فراخوان ایجاد یک همکاری مشترک بین تیم های ایرانی و برزیلی در زمینه های مورد علاقه FAPESP و CSTC در مرزهای دانش و تکنولوژی و همچنین تبادل و توسعه خدمات و ابزارهای شناختی ببین دو کشور است.

علاقمندان به مشارکت در این فراخوان لطفا موارد زیر را مطالعه کرده و مد نظر داشته باشند:

فراخوان پیشنهاد طرح پژوهشی (Call for Proposal) را مطالعه کرده و مطمئن شوید که واجد شرایط مشارکت در این فراخوان هستید.

- پیشنهاد طرح پژوهشی باید به صورت یک طرح مشترک بین پژوهشگران
ایرانی ( عضو هئیت علمی دانشگاه ها یا مدیر یک شرکت دانش بنیان داخلی که ترجیحا
Principal Investigator ستاد هستند) و پژوهشگران برزیلی از ایالت سائوپائولو
(Principal Investigator در FAPESP باشند) در چارچوب های معرفی شده در فراخوان ارائه گردد.

- با توجه به اینکه شرط اصلی طرف برزیلی حمایت از پروژه هایی است که مجری برزیلی آن Principal Investigator در FAPESP باشد، حمایت از طرح های پژوهشی Regular و SPRINT در قالب میز همکاری های ایران برزیل منوط به این شرط خواهد بود. لذا جهت سهولت شناسایی و برقراری ارتباط با اساتید فعال در ایالت سائوپائولو، فایل راهنما را مطالعه فرمایید.

- لازم به ذکر است که پیشنهاد طرح پژوهشی مشترک می بایست ابتدا توسط طرفین ایرانی و برزیلی تنظیم شده و مورد توافق قرار گیرد. سپس طرف ایرانی فرم های مربوط به پیشنهاد طرح پژوهشی را در سایت ستاد (CSTC) و طرف برزیلی فرم های نظیر را در سایت FAPESP بارگذاری نماید.

- روند داوری پیشنهاد طرح پژوهشی در این فراخوان به طور مستقل در CSTC و FAPESP انجام خواهد شد. پذیرش نهایی منوط به پذیرش طرح در هر دو سو می باشد.

- پذیرش طرح از تاریخ 5 فوریه 2018 (16 بهمن 1396) شروع شده و در تاریخ 7 آوریل 2018 (18 فروردین 1397) خاتمه خواهد یافت. این تاریخ به هیچ عنوان تمدید نخواهد شد. 
 
- در این چارچوب (Regular Project Award)، حداکثر سه طرح مورد حمایت مالی قرار خواهد گرفت.

- اولویت ستاد توسعه علوم و فناوری های شناختی حمایت از تیم هایی است که سابقه همکاری پژوهشی با ستاد را داشته و یا در مجموعه گروه های پیشرو ستاد قرار دارند.

موارد فوق مطالعه شد و واجد شرایط مشارکت در این فراخوان هستم (ورود به کارتابل شخصی جهت شرکت در فراخوان)

جهت کسب اطلاعات تکمیلی می توانید با آدرس iran.brazil.desk@cogc.ir میز همکاری ایران و برزیل، مکاتبه نمائید.




نوع مطلب :
برچسب ها :
لینک های مرتبط :


( کل صفحات : 5 )    1   2   3   4   5   
پیوندها
آمار وبلاگ
  • کل بازدید :
  • بازدید امروز :
  • بازدید دیروز :
  • بازدید این ماه :
  • بازدید ماه قبل :
  • تعداد نویسندگان :
  • تعداد کل پست ها :
  • آخرین بازدید :
  • آخرین بروز رسانی :
 
 
 
شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Website Traffic